ON Semiconductor BC637

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

供应商器件包装

TO-92-3

质量

201mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

Current-Collector (Ic) (Max)

1A

Number of Elements

1

hFEMin

40

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2002

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终端

通孔

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

60V

最大功率耗散

625mW

额定电流

1A

频率

100MHz

基本部件号

BC637

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

1W

功率 - 最大

625mW

增益带宽积

200MHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

60V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 150mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

60V

最大击穿电压

60V

频率转换

200MHz

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

6.35mm

长度

6.35mm

宽度

6.35mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

无铅