ON Semiconductor BC639

生命周期状态

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触点镀层

Copper, Silver, Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

质量

201mg

晶体管元件材料

SILICON

制造商包装标识符

TO−92 CASE 29 STYLE 14

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

Number of Elements

1

hFEMin

40

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2002

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

通孔

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

电压 - 额定直流

80V

最大功率耗散

625mW

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

1A

频率

100MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

BC639

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

1W

增益带宽积

200MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 150mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 50mA, 500mA

转换频率

200MHz

最大击穿电压

80V

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

无铅