Diodes Incorporated ZVN3310A

工厂交货时间

17 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

质量

453.59237mg

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

200mA Ta

Power Dissipation (Max)

625mW Ta

Turn Off Delay Time

6 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.4V @ 1mA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

10Ohm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

100V

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

200mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

625mW

接通延迟时间

5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

10 Ω @ 500mA, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

40pF @ 25V

上升时间

7ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

7 ns

连续放电电流(ID)

200mA

阈值电压

2.4V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.2A

漏源击穿电压

100V

反馈上限-最大值 (Crss)

5 pF

长度

4.77mm

高度

4.01mm

宽度

2.41mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅