Diodes Incorporated ZX3CD2S1M832TA

底架

表面贴装

引脚数

832

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

20V

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

180MHz

Power Dissipation (Max)

3W

Number of Elements

1

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

10

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最高工作温度

150°C

电压 - 额定直流

-20V

端子位置

QUAD

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-3.5A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

JESD-30代码

R-PQFP-F10

资历状况

不合格

极性

PNP

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

集电极发射器电压(VCEO)

300mV

最大集电极电流

3.5A

转换频率

180MHz

最大击穿电压

20V

集电极基极电压(VCBO)

25V

发射极基极电压 (VEBO)

-7.5V

最小直流增益（hFE）

15

高度

1mm

长度

3mm

宽度

2mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅