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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 ZX3CD2S1M832TA
ZX3CD2S1M832TA
ZX3CD2S1M832TA

注：图像仅供参考，请参阅产品规格

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Diodes Incorporated ZX3CD2S1M832TA

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型号

ZX3CD2S1M832TA

品牌

Diodes Incorporated

utmel 编号

671-ZX3CD2S1M832TA

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS PNP 20V 3.5A 8MLP

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ZX3CD2S1M832TA
ZX3CD2S1M832TA Diodes Incorporated TRANS PNP 20V 3.5A 8MLP

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ZX3CD2S1M832TA详情

技术参数

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型号对比

Diodes Incorporated ZX3CD2S1M832TA重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 底架

    表面贴装

  • 引脚数

    832

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    20V

  • Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

    180MHz

  • Power Dissipation (Max)

    3W

  • Number of Elements

    1

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2007

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    10

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 电压 - 额定直流

    -20V

  • 端子位置

    QUAD

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度（摄氏度）

    260

  • 额定电流

    -3.5A

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • JESD-30代码

    R-PQFP-F10

  • 资历状况

    不合格

  • 极性

    PNP

  • 元素配置

    Single

  • 箱体转运

    COLLECTOR

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    300mV

  • 最大集电极电流

    3.5A

  • 转换频率

    180MHz

  • 最大击穿电压

    20V

  • 集电极基极电压(VCBO)

    25V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    -7.5V

  • 最小直流增益（hFE）

    15

  • 高度

    1mm

  • 长度

    3mm

  • 宽度

    2mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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技术文档: Diodes Incorporated ZX3CD2S1M832TA.

右边的3个型号有着和Diodes Incorporated & ZX3CD2S1M832TA相似的参数规格。

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AS
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