Diodes Incorporated ZXM62P03E6TC

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6

引脚数

6

质量

14.996898mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.5A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

625mW Ta

Turn Off Delay Time

13.9 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

625mW

接通延迟时间

2.8 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

230m Ω @ 800mA, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

330pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10.2nC @ 10V

上升时间

6.4ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

6.4 ns

连续放电电流(ID)

1.5A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏源击穿电压

-30V

高度

1.3mm

长度

3.1mm

宽度

1.8mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant