Diodes Incorporated ZXMC3A17DN8TC

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

质量

73.992255mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.1A 3.4A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

29.2 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

1.25W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

引脚数量

8

资历状况

不合格

通道数量

2

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.25W

接通延迟时间

1.7 ns

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

50m Ω @ 7.8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA (Min)

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

600pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12.2nC @ 10V

上升时间

2.9ns

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

下降时间（典型值）

2.9 ns

连续放电电流(ID)

3.4A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5.4A

漏极-源极导通最大电阻

0.05Ohm

漏源击穿电压

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅