Diodes Incorporated ZXMD63C03XTC
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ZXMD63C03XTC
671-ZXMD63C03XTC
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
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MOSFET 30V N&P Chnl HDMOS
1最小包装量--
ZXMD63C03XTC详情
Diodes Incorporated ZXMD63C03XTC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
低阈值
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
8
JESD-30代码
S-PDSO-G8
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率 - 最大
1.04W
场效应管类型
N and P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
135m Ω @ 1.7A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA (Min)
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
290pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
8nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
2.3A
漏极-源极导通最大电阻
0.135Ohm
DS 击穿电压-最小值
30V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
ROHS3 Compliant
ZXMD63C03XTC拓展信息
Diodes Incorporated
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