Diodes Incorporated ZXMD63N02XTC

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)

质量

139.989945mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.5A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

13.5 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

20V

最大功率耗散

870mW

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

2.4A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

8

JESD-30代码

S-PDSO-G8

资历状况

不合格

通道数量

2

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

870mW

接通延迟时间

3.4 ns

功率 - 最大

1.04W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

130m Ω @ 1.7A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

700pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6nC @ 4.5V

上升时间

8.1ns

下降时间（典型值）

8.1 ns

连续放电电流(ID)

2.4A

JEDEC-95代码

MO-187AA

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏极-源极导通最大电阻

0.13Ohm

漏源击穿电压

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

高度

950μm

长度

3.1mm

宽度

3.1mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅