Diodes Incorporated ZXMD63N03XTC

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)

引脚数

8

质量

139.989945mg

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

9.6 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

已出版

2006

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

附加功能

HIGH RELIABILITY

电压 - 额定直流

30V

最大功率耗散

870mW

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

额定电流

2.4A

引脚数量

8

参考标准

AEC-Q101

通道数量

2

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

870mW

接通延迟时间

2.5 ns

功率 - 最大

1.04W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

135m Ω @ 1.7A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA (Min)

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

290pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

8nC @ 10V

上升时间

4.1ns

下降时间（典型值）

4.1 ns

连续放电电流(ID)

2.3A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.135Ohm

漏源击穿电压

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

高度

950μm

长度

3.1mm

宽度

3.1mm

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅