Diodes Incorporated ZXMN10A08DN8TC

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

电压 - 额定直流

100V

最大功率耗散

1.25W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

2.1A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

250m Ω @ 3.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA (Min)

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

405pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

7.7nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

100V

连续放电电流(ID)

1.6A

漏极-源极导通最大电阻

0.25Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

9A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅