Diodes Incorporated ZXMN2A04DN8TC

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

质量

73.992255mg

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

50.5 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

附加功能

低阈值

电压 - 额定直流

20V

最大功率耗散

1.25W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

6A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

8

资历状况

不合格

通道数量

2

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.25W

接通延迟时间

7.9 ns

功率 - 最大

1.8W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

25m Ω @ 5.9A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

700mV @ 250μA (Min)

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1880pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

22.1nC @ 5V

上升时间

14.8ns

下降时间（典型值）

14.8 ns

连续放电电流(ID)

5.9A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

7.7A

漏源击穿电压

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅