注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥8.550927
10
¥8.066914
100
¥7.610297
500
¥7.179524
1000
¥6.773136
Diodes Incorporated ZXMN4A06KTC
- 收藏
- 对比
ZXMN4A06KTC
671-ZXMN4A06KTC
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 40V 7.2A DPAK
--最小包装量--
¥
总价: ¥
ZXMN4A06KTC详情
Diodes Incorporated ZXMN4A06KTC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
供应商器件包装
TO-252-3
质量
3.949996g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
7.2A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.15W Ta
Turn Off Delay Time
23.3 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2002
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电阻
50mOhm
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
40V
额定电流
10.9A
通道数量
1
元素配置
Single
功率耗散
9.5W
接通延迟时间
3.2 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
50mOhm @ 4.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
827pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
17.1nC @ 10V
上升时间
3.8ns
漏源电压 (Vdss)
40V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
10.9 ns
连续放电电流(ID)
10.9A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
40V
输入电容
827pF
漏源电阻
50mOhm
最大rds
50 mΩ
高度
2.39mm
长度
6.73mm
宽度
6.22mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
ZXMN4A06KTC拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated








哦! 它是空的。