Diodes Incorporated ZXMP2120E5TA
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ZXMP2120E5TA
671-ZXMP2120E5TA
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-74A, SOT-753
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MOSFET P-Ch 200 Volt 0.122A
--最小包装量--
ZXMP2120E5TA详情
Diodes Incorporated ZXMP2120E5TA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-74A, SOT-753
引脚数
5
质量
29.993795mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
122mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
750mW Ta
Turn Off Delay Time
12 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
电阻
28Ohm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
电压 - 额定直流
-200V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
-122mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
5
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
750mW
接通延迟时间
7 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
28 Ω @ 150mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
100pF @ 25V
上升时间
15ns
漏源电压 (Vdss)
200V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
15 ns
连续放电电流(ID)
122mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
-200V
反馈上限-最大值 (Crss)
7 pF
高度
1.3mm
长度
3.1mm
宽度
1.8mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
ZXMP2120E5TA拓展信息
Diodes Incorporated
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