Diodes Incorporated ZXMP3F30FHTA

工厂交货时间

17 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.8A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

950mW Ta

Turn Off Delay Time

49 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2003

容差

0.1%

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

温度系数

25 ppm/°C

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.4W

接通延迟时间

1.3 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

80m Ω @ 2.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

370pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

7nC @ 10V

上升时间

2.6ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

22 ns

连续放电电流(ID)

3.4A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.8A

漏极-源极导通最大电阻

0.08Ohm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅