Diodes Incorporated ZXMP6A16KTC

工厂交货时间

17 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

质量

3.949996g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5.4A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.11W Ta

Turn Off Delay Time

35 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2002

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电阻

85mOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

JESD-30代码

R-PSSO-G2

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

9.76W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

3.5 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

85m Ω @ 2.9A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1021pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

24.2nC @ 10V

上升时间

4.1ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

10 ns

连续放电电流(ID)

8.2A

阈值电压

-1V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5.4A

漏源击穿电压

-60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

27.2A

高度

2.39mm

长度

6.73mm

宽度

6.22mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅