Diodes Incorporated ZXT12N50DXTA

工厂交货时间

15 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)

引脚数

8

质量

139.989945mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Collector-Emitter Saturation Voltage

135mV

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

50V

最大功率耗散

1.25W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

3A

频率

132MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

ZXT12N50D

引脚数量

8

极性

NPN

元素配置

Dual

功率耗散

1.25W

功率 - 最大

1.04W

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

132MHz

晶体管类型

2 NPN (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

300 @ 1A 2V

最大集极截止电流

100nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 50mA, 3A

转换频率

132MHz

最大击穿电压

50V

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

7.5V

连续集电极电流

3A

高度

950μm

长度

3.1mm

宽度

3.1mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅