注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.48793
10
¥1.403708
100
¥1.324252
500
¥1.249294
1000
¥1.17858
Diodes Incorporated ZXTC2045E6TA
- 收藏
- 对比
ZXTC2045E6TA
671-ZXTC2045E6TA
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
SOT-23-6
大陆
立即发货

Trans Gp Bjt Npn/pnp 30V 1.5A 6-PIN SOT-23 T/r Trans Gp Bjt Npn/pnp 30V 1.5A 6-PIN SOT-23 T/r
--最小包装量--
¥
总价: ¥
ZXTC2045E6TA详情
Diodes Incorporated ZXTC2045E6TA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
15 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6
引脚数
6
质量
7.994566mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
30V
Collector-Emitter Saturation Voltage
375mV
Number of Elements
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
1.7W
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
1.5A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
Z2045
引脚数量
6
资历状况
不合格
极性
NPN, PNP
元素配置
Dual
功率耗散
1.7W
功率 - 最大
1.1W
晶体管类型
NPN, PNP
集电极发射器电压(VCEO)
30V
最大集电极电流
1.5A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
180 @ 100mA 2V
最大集极截止电流
20nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
375mV @ 15mA, 750mA
最大击穿电压
30V
集电极基极电压(VCBO)
40V
发射极基极电压 (VEBO)
7V
高度
1.3mm
长度
3.1mm
宽度
1.8mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
ZXTC2045E6TA拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated







哦! 它是空的。