注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥7.915691
10
¥7.467636
100
¥7.044936
500
¥6.646168
1000
¥6.269966
Diodes Incorporated ZXTC6717MCTA
- 收藏
- 对比
ZXTC6717MCTA
671-ZXTC6717MCTA
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
8-VDFN Exposed Pad
大陆
立即发货

Trans GP BJT NPN/PNP 15V/12V 5A/4.45A 8-Pin DFN EP T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
ZXTC6717MCTA详情
Diodes Incorporated ZXTC6717MCTA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
15 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-VDFN Exposed Pad
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
12V
Collector-Emitter Saturation Voltage
8mV
Current-Collector (Ic) (Max)
4.5A 4A
Number of Elements
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2010
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
1.7W
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
8
极性
NPN, PNP
元素配置
Dual
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
120MHz
晶体管类型
NPN, PNP
集电极发射器电压(VCEO)
310mV
最大集电极电流
4A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
300 @ 200mA 2V 300 @ 100mA 2V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
310mV @ 50mA, 4.5A / 310mV @ 150mA, 4A
电压 - 集射极击穿(最大值)
15V 12V
转换频率
120MHz
最大击穿电压
12V
频率转换
120MHz 110MHz
集电极基极电压(VCBO)
40V
发射极基极电压 (VEBO)
7V
连续集电极电流
4.5A
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
ZXTC6717MCTA拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated








哦! 它是空的。