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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥8.0465
10
¥7.591036
100
¥7.161356
500
¥6.755995
1000
¥6.373585
Diodes Incorporated ZXTC6720MCTA
- 收藏
- 对比
ZXTC6720MCTA
671-ZXTC6720MCTA
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
8-WDFN Exposed Pad
大陆
立即发货

Trans GP BJT NPN/PNP 80V/70V 4A/3A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
ZXTC6720MCTA详情
Diodes Incorporated ZXTC6720MCTA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-WDFN Exposed Pad
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
70V
Collector-Emitter Saturation Voltage
15mV
Current-Collector (Ic) (Max)
3.5A 2.5A
Number of Elements
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
1.7W
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
160MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
ZXTC6720MC
引脚数量
8
极性
NPN, PNP
元素配置
Dual
功率耗散
2.45W
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
160MHz
晶体管类型
NPN, PNP
集电极发射器电压(VCEO)
340mV
最大集电极电流
2.5A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
300 @ 200mA 2V / 40 @ 1.5A 5V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
340mV @ 300mA, 3.5A / 270mV @ 200mA, 1.5A
电压 - 集射极击穿(最大值)
80V 70V
转换频率
160MHz
最大击穿电压
70V
频率转换
160MHz 180MHz
集电极基极电压(VCBO)
100V
发射极基极电压 (VEBO)
7V
连续集电极电流
3.5A
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
ZXTC6720MCTA拓展信息
Diodes Incorporated
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