Diodes Incorporated ZXTD09N50DE6TA

工厂交货时间

15 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6

引脚数

6

质量

14.996898mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Collector-Emitter Saturation Voltage

160mV

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

50V

最大功率耗散

1.7W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

2A

频率

215MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

ZXTD09N50D

引脚数量

6

极性

NPN

元素配置

Dual

功率耗散

1.7W

功率 - 最大

1.1W

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

215MHz

晶体管类型

2 NPN (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 500mA 2V

最大集极截止电流

10nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

270mV @ 50mA, 1A

转换频率

215MHz

最大击穿电压

50V

集电极基极电压(VCBO)

50V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

连续集电极电流

1A

高度

1.3mm

长度

3.1mm

宽度

1.8mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅