Diodes Incorporated ZXTD718MCTA

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-VDFN Exposed Pad

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

20V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-19mV

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

最大功率耗散

2.45W

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

频率

180MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

8

极性

PNP

元素配置

Dual

功率耗散

2.45W

功率 - 最大

1.7W

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

180MHz

晶体管类型

2 PNP (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

20V

最大集电极电流

3.5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

300 @ 100mA 2V

最大集极截止电流

100nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 350mA, 3.5A

转换频率

180MHz

最大击穿电压

20V

频率转换

150MHz

集电极基极电压(VCBO)

25V

发射极基极电压 (VEBO)

-7V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant