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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥8.975729
10
¥8.467666
100
¥7.988365
500
¥7.536199
1000
¥7.109617
Diodes Incorporated ZXTD720MCTA
- 收藏
- 对比
ZXTD720MCTA
671-ZXTD720MCTA
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
8-WDFN Exposed Pad
大陆
立即发货

Trans GP BJT PNP 40V 3A 8-Pin DFN EP T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
ZXTD720MCTA详情
Diodes Incorporated ZXTD720MCTA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
15 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-WDFN Exposed Pad
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
40V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-25mV
Number of Elements
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
1.7W
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
ZXTD720MC
引脚数量
8
极性
PNP
元素配置
Dual
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
1.7W
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
190MHz
晶体管类型
2 PNP (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
370mV
最大集电极电流
3A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
60 @ 1.5A 2V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
370mV @ 250mA, 2.5A
转换频率
190MHz
最大击穿电压
40V
集电极基极电压(VCBO)
-50V
发射极基极电压 (VEBO)
-7V
连续集电极电流
-3A
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
ZXTD720MCTA拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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