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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.933013
10
¥2.766994
100
¥2.610372
500
¥2.462614
1000
¥2.323221
Diodes Incorporated ZXTP23140BFHTA
- 收藏
- 对比
ZXTP23140BFHTA
671-ZXTP23140BFHTA
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power
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¥
总价: ¥
ZXTP23140BFHTA详情
Diodes Incorporated ZXTP23140BFHTA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
15 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
质量
7.994566mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
140V
Number of Elements
1
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
电压 - 额定直流
-140V
最大功率耗散
1.81W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
-2.5A
频率
130MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
ZXTP23140
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
1.81W
功率 - 最大
1.25W
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
130MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
140V
最大集电极电流
2.5A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 1A 5V
最大集极截止电流
20nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
280mV @ 250mA, 2.5A
转换频率
130MHz
最大击穿电压
140V
集电极基极电压(VCBO)
160V
发射极基极电压 (VEBO)
7V
高度
1mm
长度
2.9mm
宽度
1.3mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
ZXTP23140BFHTA拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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