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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.615039
10
¥0.580225
100
¥0.547382
500
¥0.516398
1000
¥0.487168
ON Semiconductor FJV992FMTF
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- 对比
FJV992FMTF
1807-FJV992FMTF
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Bipolar Transistors - BJT PNP/120V/50mA
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FJV992FMTF详情
ON Semiconductor FJV992FMTF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
13 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
质量
30mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
120V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-300mV
Number of Elements
1
hFEMin
200
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2004
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
-120V
最大功率耗散
300mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
额定电流
-50mA
频率
50MHz
基本部件号
FJV992
元素配置
Single
功率耗散
300mW
晶体管应用
AMPLIFIER
增益带宽积
50MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
120V
最大集电极电流
50mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
300 @ 1mA 6V
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 1mA, 10mA
转换频率
50MHz
最大击穿电压
120V
集电极基极电压(VCBO)
-120V
发射极基极电压 (VEBO)
-5V
高度
1.04mm
长度
2.9mm
宽度
1.3mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FJV992FMTF拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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