GeneSiC Semiconductor MBR200200CTR

工厂交货时间

6 Weeks

生命周期状态

PRODUCTION (Last Updated: 5 months ago)

包装/外壳

双塔

安装类型

底座安装

底架

底座安装

二极管元件材料

SILICON

Operating Temperature (Max.)

150°C

Number of Elements

2

包装

Bulk

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

应用

POWER

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

JESD-30代码

R-PUFM-X2

元素配置

共阳极

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Schottky

反向泄漏电流@ Vr

3mA @ 200V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

920mV @ 100A

工作温度 - 结点

-55°C~150°C

最大反向电压（DC）

200V

平均整流电流

100A

相位的数量

1

最大非代表Pk前进电流

1500A

二极管配置

1 Pair Common Anode

反向电流-最大值

3000μA

RoHS状态

符合RoHS标准