03N06L
03N06L

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

GOFORD 03N06L

  • 收藏
  • 对比

型号

03N06L

品牌

GOFORD

utmel 编号

983-03N06L

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

N-CH 60V 3A 100mOhm/MAX at 10V, 120mOhm/MAX at 4.5V, SOT-23-3L

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
03N06L
03N06L GOFORD N-CH 60V 3A 100mOhm/MAX at 10V, 120mOhm/MAX at 4.5V, SOT-23-3L

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

03N06L详情

GOFORD 03N06L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 供应商器件包装

    SOT-23-3L

  • Package

    Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    3A

  • 厂商

    Goford Semiconductor

  • Power Dissipation (Max)

    1.7W

  • Product Status

    活跃

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • 系列

    -

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    100mOhm @ 2A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1.2V @ 250µA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    510 pF @ 30 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    14.6 nC @ 30 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    60 V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

0个相似型号

03N06L拓展信息

GT55N06D5
GT55N06D5

GOFORD

GC20N65F
GC20N65F

GOFORD

G26P04K
G26P04K

GOFORD

G08P06D3
G08P06D3

GOFORD

G50N03J
G50N03J

GOFORD

G1003B
G1003B

GOFORD

G40P03K
G40P03K

GOFORD

G9N40F
G9N40F

GOFORD

G69F
G69F

GOFORD

G3401A
G3401A

GOFORD

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z