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GOFORD G69F
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G69F
983-G69F
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
6-UDFN Exposed Pad
大陆
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P-12V,-16A,RD(MAX)<[email protected],VTH
1最小包装量--
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G69F详情
GOFORD G69F重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-UDFN Exposed Pad
供应商器件包装
6-DFN (2x2)
Package
Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
16A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
厂商
Goford Semiconductor
Power Dissipation (Max)
18W (Tc)
Product Status
活跃
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型
P-Channel
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2700 pF @ 10 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
48 nC @ 4.5 V
漏源电压 (Vdss)
12 V
Vgs（最大值）
±8V
场效应管特性
-
G69F拓展信息
公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
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