G08P06D3
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GOFORD G08P06D3

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型号

G08P06D3

品牌

GOFORD

utmel 编号

983-G08P06D3

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

8-PowerVDFN

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

P-Channel Trench MOSFET

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G08P06D3
G08P06D3 GOFORD P-Channel Trench MOSFET

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G08P06D3详情

GOFORD G08P06D3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-PowerVDFN

  • 供应商器件包装

    8-DFN (3.15x3.05)

  • Package

    Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    8A (Tc)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • 厂商

    Goford Semiconductor

  • Power Dissipation (Max)

    40W (Tc)

  • Product Status

    活跃

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • 系列

    -

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    52mOhm @ 6A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3.5V @ 250µA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    2972 pF @ 30 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    25 nC @ 10 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    60 V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 场效应管特性

    -

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