GOFORD 18N20F

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

安装类型

通孔

供应商器件包装

TO-220F

Package

Tube

Product Status

活跃

Power Dissipation (Max)

110W (Tc)

厂商

Goford Semiconductor

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

18A (Tc)

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

190mOhm @ 9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

836 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17.7 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

200 V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-