GS840H18AB-166I
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GSI Technology GS840H18AB-166I

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型号

GS840H18AB-166I

utmel 编号

2984-GS840H18AB-166I

商品类别

存储器

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Cache SRAM, 256KX18, 8.5ns, CMOS, PBGA119, FBGA-119

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GS840H18AB-166I
GS840H18AB-166I GSI Technology Cache SRAM, 256KX18, 8.5ns, CMOS, PBGA119, FBGA-119

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GS840H18AB-166I详情

GSI Technology GS840H18AB-166I重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    119

  • RoHS

    Compliant

  • Package Description

    BGA, BGA119,7X17,50

  • Package Style

    网格排列

  • Moisture Sensitivity Levels

    3

  • Number of Words Code

    256000

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Equivalence Code

    BGA119,7X17,50

  • Operating Temperature-Min

    -40 °C

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Access Time-Max

    8.5 ns

  • Operating Temperature-Max

    85 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    GS840H18AB-166I

  • Clock Frequency-Max (fCLK)

    166 MHz

  • Number of Words

    262144 words

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    3.3 V

  • Package Code

    BGA

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    GSI技术

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    GSI TECHNOLOGY

  • Risk Rank

    5.21

  • Part Package Code

    BGA

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    3A991.B.2.B

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • 最高工作温度

    85 °C

  • 最小工作温度

    -40 °C

  • 附加功能

    FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

  • HTS代码

    8542.32.00.41

  • 子类别

    SRAMs

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    1.27 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    119

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B119

  • 资历状况

    不合格

  • 工作电源电压

    3.3 V

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    3.6 V

  • 电源

    2.5/3.3,3.3 V

  • 温度等级

    INDUSTRIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    3 V

  • 端口的数量

    2

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    0.32 mA

  • 组织结构

    256KX18

  • 输出特性

    3-STATE

  • 座位高度-最大

    2.19 mm

  • 内存宽度

    18

  • 地址总线宽度

    18 b

  • 密度

    4.5 Mb

  • 待机电流-最大值

    0.03 A

  • 记忆密度

    4718592 bit

  • 并行/串行

    PARALLEL

  • I/O类型

    COMMON

  • 内存IC类型

    缓存SRAM

  • 待机电压-最小值

    3.14 V

  • 宽度

    14 mm

  • 长度

    22 mm

  • 辐射硬化

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