GSI Technology GS8644Z36E-250I

工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

BGA-165

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

165

终端数量

165

Maximum Clock Rate

153.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz

Supplier Package

FBGA

Data Rate Architecture

SDR

Typical Operating Supply Voltage

2.5, 3.3 V

Minimum Operating Supply Voltage

2.3, 3 V

Timing Type

Synchronous

Number of Words

2 MWords

Number of I/O Lines

36 Bit

Maximum Operating Supply Voltage

2.7, 3.6 V

Mounting

表面贴装

Moisture Sensitive

有

Maximum Clock Frequency

250 MHz

Maximum Operating Temperature

+ 85 C

Supply Voltage-Max

3.6 V

Unit Weight

1.051276 oz

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

15

Supply Voltage-Min

2.3 V

Mounting Styles

SMD/SMT

Interface Type

Parallel

Manufacturer

GSI技术

Brand

GSI技术

Tradename

NBT SRAM

Memory Types

SDR

Current - Supply (Nom)

295 mA

RoHS

Compliant

Package Description

BGA, BGA165,11X15,40

Package Style

网格排列

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

2000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

BGA165,11X15,40

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

6.5 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

GS8644Z36E-250I

Clock Frequency-Max (fCLK)

250 MHz

Supply Voltage-Nom (Vsup)

2.5 V

Package Code

BGA

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

GSI TECHNOLOGY

Risk Rank

1.64

Part Package Code

BGA

Usage Level

Industrial grade

操作温度

-40 to 85 °C

系列

GS8644Z36E

包装

Tray

无铅代码

无

ECCN 代码

3A991.B.2.B

类型

NBT

最高工作温度

85 °C

最小工作温度

-40 °C

附加功能

ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY; PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

Memory & Data Storage

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

1 mm

Reach合规守则

compliant

频率

153.8 MHz

JESD-30代码

R-PBGA-B165

资历状况

不合格

电源

2.5/3.3 V

温度等级

INDUSTRIAL

内存大小

72 Mbit

端口的数量

4

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

295 mA, 435 mA

访问时间

6.5 ns

建筑学

Flow-Through/Pipelined

组织结构

2 M x 36

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.5 mm

内存宽度

36

地址总线宽度

21 Bit

产品类别

SRAM

密度

72 Mbit

待机电流-最大值

0.16 A

记忆密度

75497472 bit

筛选水平

Industrial

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

同步/异步

Synchronous

字长

36 b

内存IC类型

ZBT SRAM

待机电压-最小值

2.3 V

电压 - 供电 （最大值）

3.6 V

电压 - 供电 （最小值）

2.3 V

产品类别

SRAM

宽度

15 mm

长度

17 mm

辐射硬化

无