GSI Technology GS880E36CGT-200

工厂交货时间

8 Weeks

包装/外壳

TQFP-100

表面安装

YES

终端数量

100

Moisture Sensitive

有

Maximum Clock Frequency

200 MHz

Maximum Operating Temperature

+ 70 C

Supply Voltage-Max

3.6 V

Minimum Operating Temperature

0 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

72

Supply Voltage-Min

2.3 V

Mounting Styles

SMD/SMT

Interface Type

Parallel

Manufacturer

GSI技术

Brand

GSI技术

Tradename

SyncBurst

RoHS

Details

Memory Types

SDR

Package Description

LQFP, QFP100,.63X.87

Package Style

FLATPACK, LOW PROFILE

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

256000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

QFP100,.63X.87

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

6.5 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

有

Part Package Code

QFP

Risk Rank

5.61

Ihs Manufacturer

GSI TECHNOLOGY

Part Life Cycle Code

活跃

Package Shape

RECTANGULAR

Package Code

LQFP

Supply Voltage-Nom (Vsup)

2.5 V

Number of Words

262144 words

Manufacturer Part Number

GS880E36CGT-200

系列

GS880E36CGT

包装

Tray

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

3A991.B.2.B

类型

DCD

端子表面处理

纯哑光锡

附加功能

PIPELINED/FLOW-THROUGH ARCHITECTURE, IT ALSO OPERATES WITH 3 V TO 3.6 V SUPPLY

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

Memory & Data Storage

技术

CMOS

端子位置

QUAD

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.65 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

100

JESD-30代码

R-PQFP-G100

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

2.7 V

电源

2.5/3.3 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

2.3 V

内存大小

9 Mbit

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

140 mA, 170 mA

访问时间

6.5 ns

组织结构

256 k x 36

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.6 mm

内存宽度

36

产品类别

SRAM

待机电流-最大值

0.025 A

记忆密度

9437184 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

缓存SRAM

待机电压-最小值

2.3 V

产品类别

SRAM

宽度

14 mm

长度

20 mm