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Hangzhou Silan Microelectronics SVD640T

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对比

型号

SVD640T

品牌

Hangzhou Silan Microelectronics

utmel 编号

1604-SVD640T

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

200V 18A 150mΩ@10V,9A 150W 4V@250uA 1 N-Channel TO-220 MOSFETs ROHS

起订量

1最小包装量--

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SVD640T

SVD640T Hangzhou Silan Microelectronics 200V 18A 150mΩ@10V,9A 150W 4V@250uA 1 N-Channel TO-220 MOSFETs ROHS

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SVD640T详情

技术参数

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Hangzhou Silan Microelectronics SVD640T重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
RoHS

true
Drain Source Voltage (Vdss)

200V
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)

150mΩ@10V,9A
Power Dissipation (Pd)

150W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)

4V@250uA
Package

Tube-packed
类型

1 N-Channel
Continuous Drain Current (Id)

18A

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