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首页 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 SVD640T
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Hangzhou Silan Microelectronics SVD640T

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型号

SVD640T

品牌

Hangzhou Silan Microelectronics

utmel 编号

1604-SVD640T

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

200V 18A 150mΩ@10V,9A 150W 4V@250uA 1 N-Channel TO-220 MOSFETs ROHS

起订量

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SVD640T
SVD640T Hangzhou Silan Microelectronics 200V 18A 150mΩ@10V,9A 150W 4V@250uA 1 N-Channel TO-220 MOSFETs ROHS

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技术参数

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Hangzhou Silan Microelectronics SVD640T重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • RoHS

    true

  • Drain Source Voltage (Vdss)

    200V

  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)

    150mΩ@10V,9A

  • Power Dissipation (Pd)

    150W

  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)

    4V@250uA

  • Package

    Tube-packed

  • 类型

    1 N-Channel

  • Continuous Drain Current (Id)

    18A

0个相似型号

技术文档: Hangzhou Silan Microelectronics SVD640T.

SVD640T拓展信息

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ISO13485
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