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技术文档
型号
3N205
品牌
Harris Semiconductor
utmel 编号
1050-3N205
商品类别
晶体管 - 特殊用途
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
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3N205详情
技术参数
Harris Semiconductor 3N205重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
HARRIS SEMICONDUCTOR
Package Description
,
Drain Current-Max (ID)
0.05 A
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
200 °C
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
Reach合规守则
unknown
配置
SINGLE
极性/通道类型
N-CHANNEL
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.36 W
3N205拓展信息
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公司资质
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型号:JANTX2N6782
封装:--
品牌:Harris Semiconductor
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