Harris Semiconductor IRF636

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

HARRIS SEMICONDUCTOR

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Drain Current-Max (ID)

8.1 A

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

FLANGE MOUNT

Turn-off Time-Max (toff)

76 ns

Turn-on Time-Max (ton)

49 ns

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

漏极-源极导通最大电阻

0.45 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

32 A

DS 击穿电压-最小值

275 V

雪崩能量等级（Eas）

180 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

75 W

环境耗散-最大值

75 W