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Harris Semiconductor RF1S530SM

Name: RF1S530SM
Brand: Harris Semiconductor
SKU: 1050-RF1S530SM
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

RF1S530SM

品牌

Harris Semiconductor

utmel 编号

1050-RF1S530SM

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

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RF1S530SM Harris Semiconductor Description: Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

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RF1S530SM详情

技术参数

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Harris Semiconductor RF1S530SM重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

2
晶体管元件材料

SILICON
Rohs Code

无
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

HARRIS SEMICONDUCTOR
Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Drain Current-Max (ID)

14 A
Number of Elements

1
Operating Temperature-Max

175 °C
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

小概要
JESD-609代码

e0
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)
端子位置

SINGLE
终端形式

鸥翼
Reach合规守则

unknown
JESD-30代码

R-PSSO-G2
资历状况

不合格
配置

SINGLE
操作模式

增强型MOSFET
极性/通道类型

N-CHANNEL
JEDEC-95代码

TO-263AB
漏极-源极导通最大电阻

0.16 Ω
DS 击穿电压-最小值

100 V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)

79 W

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技术文档: Harris Semiconductor RF1S530SM.

数据表 :
HRISC016-2.pdf

RF1S530SM拓展信息

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