Harris Semiconductor RFK35N10

表面安装

NO

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

METAL

Package Shape

ROUND

Package Style

FLANGE MOUNT

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

HARRIS SEMICONDUCTOR

Package Description

FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2

Drain Current-Max (ID)

35 A

Turn-off Time-Max (toff)

800 ns

Turn-on Time-Max (ton)

550 ns

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-204AE

漏极-源极导通最大电阻

0.055 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

100 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

150 W

反馈上限-最大值 (Crss)

600 pF

环境耗散-最大值

150 W