Infineon AUIRF7640S2TR1

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

6

材料

Si

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Automotive

有

PPAP

Unknown

Category

功率MOSFET

Process Technology

DirectFET

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Maximum Drain Source Voltage (V)

60

Maximum Gate Source Voltage (V)

±20

Maximum Continuous Drain Current (A)

5.8

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

36@10V

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

7.3@10V

Typical Gate Charge @ 10V (nC)

7.3

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

450@25V

Maximum Power Dissipation (mW)

2400

Typical Fall Time (ns)

6.2

Typical Rise Time (ns)

12

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

6.3

Typical Turn-On Delay Time (ns)

4

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

175

Supplier Temperature Grade

汽车

Mounting

表面贴装

Package Height

0.49(Max)

Package Width

3.95(Max)

Package Length

3.95(Max)

PCB changed

6

Supplier Package

Direct-FET SB

Lead Shape

No Lead

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

6.3 ns

Package Description

HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-2

Package Style

CHIP CARRIER

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

UNSPECIFIED

Reflow Temperature-Max (s)

40

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

AUIRF7640S2TR1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

International Rectifier

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INTERNATIONAL RECTIFIER CORP

Risk Rank

5.37

Drain Current-Max (ID)

5.8 A

包装

卷带

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

零件状态

Obsolete

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

FET 通用电源

最大功率耗散

2.4 W

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

引脚数量

6

JESD-30代码

R-XBCC-N2

资历状况

不合格

配置

单四排液

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

30 W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

4 ns

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

12 ns

漏源电压 (Vdss)

60 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

5.8 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

21 A

漏极-源极导通最大电阻

0.036 Ω

漏源击穿电压

60 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

84 A

输入电容

450 pF

DS 击穿电压-最小值

60 V

信道型

N

雪崩能量等级（Eas）

57 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

30 W

漏源电阻

36 mΩ

最大rds

36 mΩ

栅源电压

4 V

宽度

3.95 mm

高度

740 µm

长度

4.85 mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无