Infineon AUIRFS3306TRR

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

3

材料

Si

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

EU RoHS

符合免除

ECCN (US)

EAR99

SVHC

有

SVHC Exceeds Threshold

有

Automotive

有

PPAP

Unknown

Category

功率MOSFET

Process Technology

HEXFET

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Maximum Drain Source Voltage (V)

60

Maximum Gate Source Voltage (V)

±20

Maximum Continuous Drain Current (A)

160

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

4.2@10V

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

85@10V

Typical Gate Charge @ 10V (nC)

85

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

4520@50V

Maximum Power Dissipation (mW)

230000

Typical Fall Time (ns)

77

Typical Rise Time (ns)

76

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

40

Typical Turn-On Delay Time (ns)

15

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

175

Supplier Temperature Grade

汽车

Mounting

表面贴装

Package Height

4.83(Max)

Package Width

9.65(Max)

Package Length

10.67(Max)

PCB changed

2

Tab

Tab

Standard Package Name

TO-263

Supplier Package

D2PAK

Lead Shape

Gull-wing

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

40 ns

Package Description

ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

AUIRFS3306TRR

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

International Rectifier

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INTERNATIONAL RECTIFIER CORP

Risk Rank

5.17

Part Package Code

D2PAK

Drain Current-Max (ID)

120 A

包装

卷带

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

零件状态

Obsolete

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

镍外哑光锡

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE

子类别

FET 通用电源

最大功率耗散

230 W

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

230 W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

15 ns

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

76 ns

漏源电压 (Vdss)

60 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

160 A

JEDEC-95代码

TO-263AB

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

120 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0042 Ω

漏源击穿电压

60 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

620 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

信道型

N

雪崩能量等级（Eas）

184 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

230 W

漏源电阻

4.2 mΩ

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无