BSM25GP120B2BOSA1详情
Infineon BSM25GP120B2BOSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
供应商器件包装
Module
RoHS
Non-Compliant
Package
Tray
Current-Collector (Ic) (Max)
45 A
Base Product Number
BSM25G
厂商
Infineon Technologies
Product Status
最后一次购买
包装
Bulk
操作温度
150°C (TJ)
系列
-
容差
0.1 %
终止次数
2
温度系数
50 ppm/°C
电阻
60.4 Ω
组成
Metal Film
额定功率
125 mW
最大功率耗散
125 mW
失败率
0.001 %
配置
全桥
功率 - 最大
230 W
输入
三相桥式整流器
最大集极截止电流
500 µA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.55V @ 15V, 25A
IGBT类型
-
NTC热敏电阻
有
输入电容(Cies)@Vce
1.5 nF @ 25 V
特征
Military, Moisture Resistant, Weldable
宽度
2.39 mm
长度
6.35 mm
无铅
含铅
BSM25GP120B2BOSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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