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首页 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 FF800R17KF6C_B2
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Infineon FF800R17KF6C_B2

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型号

FF800R17KF6C_B2

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-FF800R17KF6C_B2

商品类别

晶体管 - IGBT - 模块

封装

Module

交货地

大陆

交期（工作日）

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ROHS

ECAD

简介

FF800R17KF6C_B2 datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Modules product details from Infineon stock available at utmel

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FF800R17KF6C_B2详情

技术参数

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Infineon FF800R17KF6C_B2重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 工厂交货时间

    14 Weeks

  • 底架

    Screw

  • 包装/外壳

    Module

  • 引脚数

    10

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    2.6V

  • Power Dissipation (Max)

    6.25W

  • 已出版

    2016

  • 无铅代码

    no

  • 零件状态

    活跃

  • 最高工作温度

    125°C

  • 最小工作温度

    -40°C

  • 元素配置

    Dual

  • 功率耗散

    6.25W

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    1.7kV

  • 最大集电极电流

    1.3kA

  • 高度

    38mm

  • 长度

    140mm

  • 宽度

    130mm

  • 辐射硬化

    无

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

技术文档: Infineon FF800R17KF6C_B2.

FF800R17KF6C_B2拓展信息

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