参数名
参数值
参数名
参数值
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
EU RoHS
不合规
ECCN (US)
出口接触方式
HTS
8541.29.00.95
Automotive
无
PPAP
无
Category
功率MOSFET
Process Technology
HEXFET
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage (V)
100
Maximum Gate Source Voltage (V)
±20
Maximum Gate Threshold Voltage (V)
5
Maximum Continuous Drain Current (A)
35
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
100
Maximum IDSS (uA)
25
Maximum Drain Source Resistance (MOhm)
75@12V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
290(Max)@12V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
6000@25V
Maximum Power Dissipation (mW)
250000
Typical Fall Time (ns)
190(Max)
Typical Rise Time (ns)
170(Max)
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
190(Max)
Typical Turn-On Delay Time (ns)
35(Max)
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Mounting
通孔
Package Height
13.84(Max)
Package Width
6.6(Max)
Package Length
13.84(Max)
PCB changed
3
Tab
Tab
Standard Package Name
TO-254-AA
Supplier Package
TO-254AA
Lead Shape
通孔
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
IRHM9160
Package Shape
SQUARE
Manufacturer
International Rectifier
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Risk Rank
7.71
Part Package Code
TO-254AA
Package Body Material
UNSPECIFIED
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Description
FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3
Drain Current-Max (ID)
35 A
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
零件状态
活跃
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
HIGH RELIABILITY
子类别
其他晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
PIN/PEG
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
S-XSFM-P3
资历状况
不合格
配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-254AA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
35 A
漏极-源极导通最大电阻
0.075 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
140 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
信道型
P
雪崩能量等级(Eas)
500 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
250 W
环境耗散-最大值
250 W