JANSR2N7422
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Infineon JANSR2N7422

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型号

JANSR2N7422

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-JANSR2N7422

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

JANSR2N7422 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from Infineon stock available at utmel

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JANSR2N7422 Infineon

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JANSR2N7422详情

Infineon JANSR2N7422重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Lead Shape

    通孔

  • Supplier Package

    TO-254AA

  • Standard Package Name

    TO-254-AA

  • Tab

    Tab

  • PCB changed

    3

  • Package Length

    13.84(Max)

  • Package Width

    6.6(Max)

  • Package Height

    13.84(Max)

  • Mounting

    通孔

  • Supplier Temperature Grade

    Military

  • Maximum Operating Temperature (°C)

    150

  • Minimum Operating Temperature (°C)

    -55

  • Typical Turn-On Delay Time (ns)

    40(Max)

  • Typical Turn-Off Delay Time (ns)

    190(Max)

  • Typical Rise Time (ns)

    170(Max)

  • Typical Fall Time (ns)

    190(Max)

  • Maximum Power Dissipation (mW)

    150000

  • Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

    4300@25V

  • Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

    200(Max)@12V

  • Maximum Drain Source Resistance (MOhm)

    85@12V

  • Maximum IDSS (uA)

    25

  • Maximum Gate Source Leakage Current (nA)

    100

  • Maximum Continuous Drain Current (A)

    22

  • Maximum Gate Threshold Voltage (V)

    4

  • Maximum Gate Source Voltage (V)

    ±20

  • Maximum Drain Source Voltage (V)

    100

  • Number of Elements per Chip

    1

  • Channel Mode

    Enhancement

  • Process Technology

    HEXFET

  • Category

    功率MOSFET

  • PPAP

  • Automotive

  • HTS

    8541.29.00.95

  • ECCN (US)

    出口接触方式

  • EU RoHS

    不合规

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    JANSR2N7422

  • Package Shape

    SQUARE

  • Manufacturer

    Infineon Technologies AG

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    INFINEON TECHNOLOGIES AG

  • Risk Rank

    5.34

  • Drain Current-Max (ID)

    22 A

  • JESD-609代码

    e0

  • 零件状态

    活跃

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • 附加功能

    HIGH RELIABILITY

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    PIN/PEG

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    3

  • 参考标准

    MIL-19500/662

  • JESD-30代码

    S-CSFM-P3

  • 资历状况

    Qualified

  • 配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    P-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-254AA

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.085 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    88 A

  • DS 击穿电压-最小值

    100 V

  • 信道型

    P

  • 雪崩能量等级(Eas)

    500 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

0个相似型号

技术文档: Infineon JANSR2N7422.

JANSR2N7422拓展信息

IRF7306TRPBF
IRF7306TRPBF

Infineon Technologies

BSD235CH6327XTSA1
BSD235CH6327XTSA1

Infineon Technologies

IPG20N06S4L11ATMA1
IPG20N06S4L11ATMA1

Infineon Technologies

IRF7324TRPBF
IRF7324TRPBF

Infineon Technologies

IRF7380TRPBF
IRF7380TRPBF

Infineon Technologies

IRF9952TRPBF
IRF9952TRPBF

Infineon Technologies

IRF7101TRPBF
IRF7101TRPBF

Infineon Technologies

IRF7907TRPBF
IRF7907TRPBF

Infineon Technologies

IRF7319TRPBF
IRF7319TRPBF

Infineon Technologies

IRF7351TRPBF
IRF7351TRPBF

Infineon Technologies

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