Infineon JANTX2N6796U

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

18

终端数量

15

晶体管元件材料

SILICON

EU RoHS

不合规

ECCN (US)

EAR99

HTS

8541.10.00.80

Automotive

无

PPAP

无

Category

功率MOSFET

Process Technology

HEXFET

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Maximum Drain Source Voltage (V)

100

Maximum Gate Source Voltage (V)

±20

Maximum Continuous Drain Current (A)

8

Maximum Drain Source Resistance (MOhm)

207@10V

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

29(Max)@10V

Typical Gate Charge @ 10V (nC)

29(Max)

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

660@25V

Maximum Power Dissipation (mW)

25000

Typical Fall Time (ns)

45(Max)

Typical Rise Time (ns)

75(Max)

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

40(Max)

Typical Turn-On Delay Time (ns)

30(Max)

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Supplier Temperature Grade

Military

Mounting

表面贴装

Package Height

3.22(Max)

Package Width

7.49(Max)

Package Length

9.14(Max)

PCB changed

18

Standard Package Name

LLCC

Supplier Package

LLCC

Lead Shape

No Lead

Schedule B

8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080

RoHS

Non-Compliant

Package Description

CHIP CARRIER, R-CQCC-N15

Package Style

CHIP CARRIER

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JANTX2N6796U

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

7.72

Part Package Code

LCC

Drain Current-Max (ID)

8 A

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

125 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

HIGH RELIABILITY

端子位置

QUAD

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

18

参考标准

MIL-19500/557

JESD-30代码

R-CQCC-N15

资历状况

Qualified

配置

单六进制漏八进制源双门

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

25 W

箱体转运

SOURCE

晶体管应用

SWITCHING

漏源电压 (Vdss)

100 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

5 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

漏极-源极导通最大电阻

0.195 Ω

漏源击穿电压

100 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

32 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

信道型

N

雪崩能量等级（Eas）

134 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

180 mΩ

通态电阻

200 mΩ

辐射硬化

无

无铅

含铅