Infineon JANTX2N7224

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

EU RoHS

不合规

ECCN (US)

EAR99

HTS

8541.21.00.95

Automotive

无

PPAP

无

Category

功率MOSFET

Process Technology

HEXFET

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Maximum Drain Source Voltage (V)

100

Maximum Gate Source Voltage (V)

±20

Operating Junction Temperature (°C)

-55 to 150

Maximum Continuous Drain Current (A)

34

Maximum Drain Source Resistance (MOhm)

81@10V

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

125(Max)@10V

Typical Gate Charge @ 10V (nC)

125(Max)

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

3700@25V

Maximum Power Dissipation (mW)

150000

Typical Fall Time (ns)

130(Max)

Typical Rise Time (ns)

190(Max)

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

170(Max)

Typical Turn-On Delay Time (ns)

35(Max)

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Supplier Temperature Grade

Military

Mounting

通孔

Package Height

13.84(Max)

Package Width

6.6(Max)

Package Length

13.84(Max)

PCB changed

3

Tab

Tab

Standard Package Name

TO-254-AA

Supplier Package

TO-254AA

Lead Shape

通孔

Schedule B

8541290080

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Package Description

FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JANTX2N7224

Package Shape

SQUARE

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.13

Drain Current-Max (ID)

34 A

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

HIGH RELIABILITY

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

参考标准

MIL-19500/592

JESD-30代码

S-MSFM-P3

资历状况

Qualified

配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

150 W

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

21 A

JEDEC-95代码

TO-254AA

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

34 A

漏极-源极导通最大电阻

0.081 Ω

漏源击穿电压

100 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

136 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

信道型

N

雪崩能量等级（Eas）

150 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

150 W

通态电阻

100 mΩ

辐射硬化

无