Infineon Technologies AUIRF7304QTR

工厂交货时间

26 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

51 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2015

JESD-609代码

e3

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

最大功率耗散

2W

终端形式

鸥翼

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

接通延迟时间

8.4 ns

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

90m Ω @ 2.2A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

610pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

22nC @ 4.5V

上升时间

26ns

漏源电压 (Vdss)

20V

下降时间（典型值）

33 ns

连续放电电流(ID)

4.3A

阈值电压

-700mV

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏极-源极导通最大电阻

0.09Ohm

漏源击穿电压

-20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

17A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

高度

1.5mm

长度

5mm

宽度

4mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant