Infineon Technologies AUIRF7313Q

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.9A

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2014

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.95

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-G8

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

2.4W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

29m Ω @ 6.9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

755pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

33nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

JEDEC-95代码

MS-012AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6.9A

漏极-源极导通最大电阻

0.029Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

58A

DS 击穿电压-最小值

30V

雪崩能量等级（Eas）

450 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

2.4W

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

符合RoHS标准