Infineon Technologies AUIRFS4310TRR
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AUIRFS4310TRR
1211-AUIRFS4310TRR
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
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RF Bipolar Transistors MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 7mOhms
1最小包装量--
AUIRFS4310TRR详情
Infineon Technologies AUIRFS4310TRR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
AUIRFS4310TRR
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Risk Rank
5.11
Drain Current-Max (ID)
75 A
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
175 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Reflow Temperature-Max (s)
30
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
镍外哑光锡
附加功能
AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE, HIGH RELIABILITY
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-263AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
75 A
漏极-源极导通最大电阻
0.007 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
550 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
雪崩能量等级(Eas)
980 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
300 W
AUIRFS4310TRR拓展信息
Infineon Technologies
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